北京（国际）第三代半导体创新发展论坛举办

5月28日，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。

北京（国际）第三代半导体创新发展论坛现场 中国经济网记者 马常艳 摄

科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。

北京市委常委、副市长靳伟在致辞中指出，北京市委市政府高度重视第三代半导体科技与产业发展。在前期成果基础上，北京市将进一步围绕建设国际科技创新中心战略定位，以打造世界领先科技园区为指引，面向国家发展战略需求，加强第三代半导体核心关键技术攻关、产业生态建设、应用场景拓展，推动在京形成第三代半导体技术高地与高水平产业集群。

诺贝尔奖获得者中村修二教授在致辞中表示，中国在开发宽禁带半导体材料和技术方面做出了巨大努力，并致力于节约能源满足广泛的社会需求。宽禁带半导体是一个全球性的机会，但仍然存在许多创造性挑战。衷心希望中国能继续与世界其他国家紧密合作，进一步发展宽禁带半导体，以实现绿色低碳和可持续发展。

科学技术部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林在致辞中提到，2023年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周期。但在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，国际第三代半导体产业增长超预期，整个产业进入高速成长期。纵观全球科技发展大势，科学研究范式正在发生深刻变革，协同创新、合作创新、开放创新已成为不可阻挡的大势趋。

中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇在致辞中指出，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体材料为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业发展产生至关重要的影响。半导体产业的全球化属性是不可改变的，创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高质量发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍是半导体产业发展的重要路径。

会上，北京市顺义区委副书记、区长崔小浩做了北京第三代半导体产业发展推介，提出要立足北京顺义领先的区位优势，进一步夯实基础、创新模式、优化政策、完善生态、提升配套，加快建设北京第三代半导体核心承载地。

为促进第三代半导体器件应用，助力“双碳”战略实施，发挥我国大市场优势，以应用促发展，加快迭代研发，促进技术、标准、人才、专利全生态系统的完善，第三代半导体产业技术创新战略联盟联合中关村科技园区顺义园、武汉东湖新技术开发区面向产业界及各地方政府共同发布了《推动第三代半导体应用，践行“双碳”战略倡议》。

会上还举行了项目签约仪式。北京市顺义区人民政府与北京国联万众半导体科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、清控华创（北京）能源互联网技术研究院有限公司、北京晶格领域半导体有限公司、北京铭镓半导体有限公司、北京漠石科技有限公司等在会上进行一系列项目签约，总投资额近18亿元。

论坛由科学技术部、工业和信息化部、北京市人民政府主办，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会、北京市经济和信息化局、北京市顺义区人民政府、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟承办。